2012年3月13日

【研究紹介】抵抗変化メモリ(ReRAM)の 動作機構解明の研究

研究紹介 — 7:25 PM

情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻 先端エレクトロニクス講座 教授 高橋 庸夫

HP:http://www.nano.eng.hokudai.ac.jp/~bukkou/index.html

 

ReRAMは次世代の高速大容量の不揮発性メモリとして大きな期待が集まっている。しかし、そのメモリ動作機構がいまだ不明であるという大きな問題がある。ReRAMを使いこなす上で、その機構の解明は、不可欠である。本研究では、透過電子顕微鏡(TEM)内で、像観察中に電気特性を評価する手法(図参照)を用い、機構解明に迫った。

 

応用例:次世代FLASHメモリ(FLASHメモリの代用)、ユニバーサルメモリ(DRAM、SRAM、FLASFメモリの機能を併せ持つすべてに適用可能なメモリ)、新機能FPGA用スイッチ

 

 

 

 

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北海道大学 工学系連携推進部 renkei@eng.hokudai.ac.jp